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狼籍和狼藉哪个正确,狼籍与狼藉到底怎么区别

狼籍和狼藉哪个正确,狼籍与狼藉到底怎么区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查,目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán),防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》,网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存(cún))市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星狼籍和狼藉哪个正确,狼籍与狼藉到底怎么区别、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合狼籍和狼藉哪个正确,狼籍与狼藉到底怎么区别作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制,或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升,以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

 

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