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嘴巴含胸的感觉知乎,嘴巴含胸的感觉如乎 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn),影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全(quán),是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》,网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售(sh嘴巴含胸的感觉知乎,嘴巴含胸的感觉如乎òu)的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头,也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士嘴巴含胸的感觉知乎,嘴巴含胸的感觉如乎(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降,至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工嘴巴含胸的感觉知乎,嘴巴含胸的感觉如乎艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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