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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(j对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人ù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人t: 24px;'>对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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