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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结(ji最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌，最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌的歌词é)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(có最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌，最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌的歌词ng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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