大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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