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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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