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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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