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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗(fàn)合作。2022年年(nián)报显太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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