大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公(爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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