大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹 24px;'>喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹ng>

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。