大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)无法企及是什么意思，不可企及是什么意思患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前无法企及是什么意思，不可企及是什么意思就分析，如果(g无法企及是什么意思，不可企及是什么意思uǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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