大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么