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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　投笔从戎的故事简介，投笔从戎的故事主人公是谁3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lón投笔从戎的故事简介，投笔从戎的故事主人公是谁g)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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