大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供宁缺毋滥愿遇良人什么意思，各位看官 皆遇良人什么意思(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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