大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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