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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网唐家三少娶了年轻女学生，唐家三少娶了年轻女学生是真的吗(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(唐家三少娶了年轻女学生，唐家三少娶了年轻女学生是真的吗huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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