大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ35c到底有多大，35c是多少)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(g35c到底有多大，35c是多少ǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的35c到底有多大，35c是多少上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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