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再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了

再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息,日前(qián),网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此,网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查,目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险,维护国(guó)家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约,确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì),国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān),设备国产化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了等收入增长。

 

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