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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券将军三箭定天山指的是谁定天下，将军三箭定天山说的是哪位历史人物商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电将军三箭定天山指的是谁定天下，将军三箭定天山说的是哪位历史人物子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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