大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(g苯可以和溴水发生反应吗为什么，苯可以和溴水发生加成反应吗uāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶苯可以和溴水发生反应吗为什么，苯可以和溴水发生加成反应吗圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)苯可以和溴水发生反应吗为什么，苯可以和溴水发生加成反应吗转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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