大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信教师一年的工作日有多少天，一年有多少周息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示教师一年的工作日有多少天，一年有多少周， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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