大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)哥呀是什么鱼怎么叫 戈雅鱼是淡水鱼吗美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光哥呀是什么鱼怎么叫 戈雅鱼是淡水鱼吗、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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