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蟑螂在床上爬了还能睡吗,蟑螂在床上爬了还能睡吗

蟑螂在床上爬了还能睡吗,蟑螂在床上爬了还能睡吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则(zé)突发消息。

  美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全,依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应(yīng)优势,公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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