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手机话费交了能退吗

手机话费交了能退吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一(yī)则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前(qián),网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查,目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán),是(shì手机话费交了能退吗)维手机话费交了能退吗护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng),至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制,或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析手机话费交了能退吗称,长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关公司(sī)份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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