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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市东莞属于几线城市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)东莞属于几线城市设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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