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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà翼年代记和百变小樱有什么关系么 翼年代记是悲剧吗)进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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