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一立方米等于多少立方毫米怎么算,一立方米等于多少立方毫米分米 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查,目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降,至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē),确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì),公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)一立方米等于多少立方毫米怎么算,一立方米等于多少立方毫米分米合作。

  有券商此前就分(fēn)析(xī),如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì),或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速(一立方米等于多少立方毫米怎么算,一立方米等于多少立方毫米分米sù),看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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