大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(y睡午觉和不睡午觉有什么区别，为什么不爱午睡的孩子智商高 24px;'>睡午觉和不睡午觉有什么区别，为什么不爱午睡的孩子智商高ì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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