大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等现实中真的可以把人玩坏吗法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险，维护现实中真的可以把人玩坏吗国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储(c现实中真的可以把人玩坏吗hǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 现实中真的可以把人玩坏吗