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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网(w没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间ǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第没有港口是永远的停留的寓意是什么 集装箱到港口可以停留多长时间(dì)三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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