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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(热情款待和盛情款待的意思区别，怎么表达感谢别人请吃饭xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(热情款待和盛情款待的意思区别，怎么表达感谢别人请吃饭zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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