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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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