大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华睡午觉和不睡午觉有什么区别，为什么不爱午睡的孩子智商高人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全(qu睡午觉和不睡午觉有什么区别，为什么不爱午睡的孩子智商高án)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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