大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài粤西是指什么地方)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外粤西是指什么地方开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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