大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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