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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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