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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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