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进退维谷的意思解释,进退维谷的意思和造句

进退维谷的意思解释,进退维谷的意思和造句 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前(qián),网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn),对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放(fàng),只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第进退维谷的意思解释,进退维谷的意思和造句: 24px;'>进退维谷的意思解释,进退维谷的意思和造句三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì),或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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