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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行siki老师是哪个大学的？业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(siki老师是哪个大学的？zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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