大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安湖南电大几本，湖南长沙电大是几本全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 湖南电大几本，湖南长沙电大是几本在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公湖南电大几本，湖南长沙电大是几本司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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