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已婚男人睡完你后的心态,已婚男的得到你一次之后

已婚男人睡完你后的心态,已婚男的得到你一次之后 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng已婚男人睡完你后的心态,已婚男的得到你一次之后)停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全,防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全(quán),依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国产化(huà)进程加速(sù),看好拓(tuò)荆科技(薄膜(mó)沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美上海已婚男人睡完你后的心态,已婚男的得到你一次之后(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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