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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zh九方皋相马原文及译文及寓意，九方皋相马原文译文启示ōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛九方皋相马原文及译文及寓意，九方皋相马原文译文启示美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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