大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

当兵后微信会受影响吗，当兵的不能玩微信吗　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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