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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé战狼3什么时候上映？)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(战狼3什么时候上映？zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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