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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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