大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的唐舞桐为什么叫王冬儿 唐舞桐可以晋升一级什么是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) 唐舞桐为什么叫王冬儿 唐舞桐可以晋升一级什么DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(gu唐舞桐为什么叫王冬儿 唐舞桐可以晋升一级什么ó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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