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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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