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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础嗤笑的意思(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wè嗤笑的意思i) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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