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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā张大大到底是什么来头)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查张大大到底是什么来头的(de)结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(gu张大大到底是什么来头ǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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