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万里长城是秦始皇造的吗,长城是秦始皇修建的吗

万里长城是秦始皇造的吗,长城是秦始皇修建的吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日(rì)前,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网(wǎng)发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险,维(wéi)护国家安全(quán),依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(y万里长城是秦始皇造的吗,长城是秦始皇修建的吗uē)为(wèi) 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng),采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì),公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更(gèng)多(duō)万里长城是秦始皇造的吗,长城是秦始皇修建的吗设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单(dān),设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng),以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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